Фотолитография
Равномерное нанесение фоторезистов AZ, SU-8, S1813 и планаризующих слоёв с воспроизводимой толщиной по всей подложке.
Фотолитография и нанесение фоторезиста
Центрифужное нанесение (spin coating) — стандартный метод формирования резистивной маски в фотолитографии. Раствор фоторезиста дозируется на подложку, после чего вращение распределяет его в равномерную плёнку заданной толщины. Контроль оборотов, ускорения и времени удержания определяет итоговую толщину и однородность слоя — ключевые параметры разрешения литографии.
Центрифуги spinNXG обеспечивают точность поддержания скорости <±1 %, что напрямую влияет на воспроизводимость толщины резиста от подложки к подложке.
Типовые задачи
- Нанесение позитивных фоторезистов AZ-серии толщиной 1–2 мкм
- Толстослойная литография SU-8 (5–200 мкм) для высоких аспектных отношений
- Тонкие слои S1813 (1–3 мкм) для стандартной UV-литографии
- Планаризующие и антиотражающие (BARC) подслои
- Lift-off резисты для формирования металлических рисунков
- Soft bake (предварительная сушка) непосредственно после нанесения на H-моделях
Материалы
Позитивные и негативные фоторезисты: AZ-серия, S1800-серия (S1813), SU-8, PMMA как электронный/оптический резист, антиотражающие покрытия BARC. Подложки — кремний, стекло, кварц, металлизированные пластины диаметром 25–110 мм. Геометрия пластин — по стандарту SEMI M1 для кремния.
Параметры процесса
| Параметр | Типовое значение |
|---|---|
| Обороты нанесения | 1 000–6 000 об/мин |
| Толщина AZ / S1813 | 1–3 мкм |
| Толщина SU-8 | 5–200 мкм |
| Soft bake | до +70 °C (встроенный нагрев) или внешний hot plate |
| Динамическое нанесение | 100–500 об/мин на стадии deposition |
Рекомендуемые модели
- spinNXG-P1H — один-два рецепта фоторезиста с этапом мягкой сушки.
- spinNXG-P1AH — несколько протоколов (15 программ) с нагревом крышки.
- spinNXG-P1ACH — то же + ПК-управление и журналирование .spin для документируемых процессов.
Опции
Для soft bake — встроенный нагрев H-моделей или внешний hot plate. Для отверждения УФ-чувствительных композиций — УФ-сушители UltraV-C1 (254 нм) и UltraV-C1 N (365 нм, для SU-8). При работе с PGMEA и агрессивными растворителями — химстойкий насос Chemker 410. Для точного дозирования резиста на серии подложек — микрофлюидный насос Super MF-1 или электронная бюретка Microlit E-burette.
Получить КП для задач в этой области
Опишите материал и подложку — подберём конфигурацию spinNXG и сопутствующее оборудование.